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InGaAs系列制冷型銦鎵砷探測(cè)器低成本、低噪聲、高靈敏度、高可靠性、高速響應(yīng)
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G12181-230K 長(zhǎng)波長(zhǎng)類型（截止波長(zhǎng)：1.85 μm） - 截止波長(zhǎng)：1.85 μm - 兩級(jí)電子冷卻型 - 低成本 - 受光面：φ3 mm - 低噪聲 - 高靈敏度 - 高可靠性 - 高速響應(yīng)
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G12183-230K 長(zhǎng)波長(zhǎng)類型（截止波長(zhǎng)：2.55 μm） - 截止波長(zhǎng)：2.55 μm - 兩級(jí)電子冷卻型 - 低成本 - 受光面：φ3 mm - 低噪聲 - 高靈敏度 - 高可靠性 - 高速響應(yīng)
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型號(hào)/參數(shù) | G12181-030K | G12183-230K |
受光面 | φ3.0 mm | φ3.0 mm |
像素?cái)?shù) | 1 | 1 |
封裝 | 金屬 | 金屬 |
封裝類別 | TO-8 | TO-8 |
散熱 | 兩級(jí)電子冷卻型 | 兩級(jí)電子冷卻型 |
靈敏度波長(zhǎng)范圍 | 0.9 到 1.85 μm | 0.9 到 2.55 μm |
最大靈敏度波長(zhǎng)（典型值） | 1.75 μm | 2.3 μm |
感光靈敏度（典型值） | 1.1 A/W | 1.3 A/W |
暗電流（最大值） | 50 nA | 60000 nA |
截止頻率（典型值） | 1.9 MHz | 1 MHz |
結(jié)電容（典型值） | 1700 pF | 3200 pF |
噪聲等效功率（典型值） | 3.5×10-14 W/Hz1/2 | 6×10-13 W/Hz1/2 |
測(cè)量條件 | 典型值 Tc=-20°C，除非另有說(shuō)明，感光靈敏度：λ=λp，暗電流：VR=0.5 V，截止頻率：VR=0V，RL=50Ω，結(jié)電容：VR=0V，f=1MHz | 典型值 Tc=-20°C，除非另有說(shuō)明，感光靈敏度：λ=λp，暗電流：VR=0.5 V，截止頻率：VR=0 V，RL=50Ω，結(jié)電容：VR=0V，f =1MHz |
InGaAs系列制冷型銦鎵砷探測(cè)器
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